
半导体激光器(Semiconductor Laser)是一种基于半导体材料(如GaAs、InP)的光子器件,通过电子与空穴在能带间复合释放光子产生激光。其核心结构包括双异质结(DH)、量子阱(QW)等设计,有效提升增益和降低阈值电流。
传统光源(如卤素灯、荧光灯、LED)虽在照明领域广泛应用,但在特定场景下无法满足高性能需求。
| 对比项 | 半导体激光器 | 传统光源 |
|---|---|---|
| 光束发散角 | 极小(<1°),易于聚焦 | 较大(>30°),需透镜辅助 |
| 相干性 | 高相干性,适合干涉测量 | 低相干性,仅用于照明或非相干检测 |
| 寿命 | >10,000小时,稳定性强 | 通常为几千小时,易老化 |
| 能耗 | 低功耗,单位光输出能耗更低 | 较高,尤其在高亮度应用中 |
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